Automated Surface Analysis of Metal Contaminants in Silicon Wafers by Online VPD-ICP-MS/MS
Aplikace | 2023 | Agilent TechnologiesInstrumentace
Řízení kovové kontaminace na povrchu křemíkových waflí je klíčové pro maximalizaci výtěžnosti a spolehlivosti integrovaných obvodů. Moderní polovodičové linky vyžadují nepřetržité a ultracitlivé sledování stopových kovů, které mohou ovlivnit elektrické vlastnosti a životnost čipů.
Cílem studie bylo ověřit plně automatizovaný systém VPD-ICP-MS/MS, skládající se z VPD modulu IAS Expert PS integrováného s ICP-QQQ Agilent 8900. Klíčovým úkolem bylo stanovit detekční limity, přesnost a reprodukovatelnost měření kovové kontaminace navozené přesným nanášením známých množství stopových prvků na povrch wafle.
Metoda využívá proces VPD (vapor phase decomposition) k rozkladu SiO2 vrstvy HF parou. Následně je tenká vrstva kovů sbírána skenovací kapkou obsahující 3 % HF + 4 % H2O2, případně 10× naředěnou aqua regii pro drahé kovy. Kapka je poté převedena do ICP-QQQ, kde v režimu MS/MS s různými plynovými koktejly (H2, He, O2) a optimalizovanými podmínkami plazmy probíhá kvantifikace. Kalibrace probíhá externími standardy připravenými ASAS-Cal a interní standardy (Be, In) vnosí ASAS-ISTD.
Automatizovaný systém umožňuje nepřetržitou kontrolu waflí 24/7 s přesnými výsledky v přímé vazbě na výrobní řídicí systém fab. Vysoká robustnost plazmy a efektivní odstraňování spektrálních interferencí zabezpečují spolehlivou detekci ultrastopových kovů při vysokém průtoku vzorků.
Očekává se širší integrace VPD-ICP-MS/MS do systémů průmyslu 4.0 pro on-line monitoring a automatické vyhodnocování. Další rozvoj může zahrnovat rozšíření na nové materiály a tenčí vrstvy, implementaci umělé inteligence pro prediktivní analýzu a zrychlení odezvy na odchylky v kontaminaci.
Plně automatizovaný VPD-ICP-MS/MS systém IAS Expert PS s Agilent 8900 ICP-QQQ prokázal nízké detekční limity, vysokou přesnost a spolehlivost pro měření kovových kontaminantů na křemíkových waflích. Díky kompatibilitě s výrobním CIM-systémem je metoda vhodná pro nejmodernější polovodičové provozy.
ICP/MS, ICP/MS/MS
ZaměřeníPolovodiče
VýrobceAgilent Technologies
Souhrn
Význam tématu
Řízení kovové kontaminace na povrchu křemíkových waflí je klíčové pro maximalizaci výtěžnosti a spolehlivosti integrovaných obvodů. Moderní polovodičové linky vyžadují nepřetržité a ultracitlivé sledování stopových kovů, které mohou ovlivnit elektrické vlastnosti a životnost čipů.
Cíle a přehled studie
Cílem studie bylo ověřit plně automatizovaný systém VPD-ICP-MS/MS, skládající se z VPD modulu IAS Expert PS integrováného s ICP-QQQ Agilent 8900. Klíčovým úkolem bylo stanovit detekční limity, přesnost a reprodukovatelnost měření kovové kontaminace navozené přesným nanášením známých množství stopových prvků na povrch wafle.
Použitá instrumentace
- IAS Expert PS s automatizovaným systemem přidávání standardů ASAS-Cal a ASAS-ISTD
- ICP-QQQ Agilent 8900 v konfiguraci pro polovodiče s platinovými kužely
- PFA inert kit s C-Flow nebulizérem a plazmovým generátorem s vysokou stabilitou
Použitá metodika
Metoda využívá proces VPD (vapor phase decomposition) k rozkladu SiO2 vrstvy HF parou. Následně je tenká vrstva kovů sbírána skenovací kapkou obsahující 3 % HF + 4 % H2O2, případně 10× naředěnou aqua regii pro drahé kovy. Kapka je poté převedena do ICP-QQQ, kde v režimu MS/MS s různými plynovými koktejly (H2, He, O2) a optimalizovanými podmínkami plazmy probíhá kvantifikace. Kalibrace probíhá externími standardy připravenými ASAS-Cal a interní standardy (Be, In) vnosí ASAS-ISTD.
Hlavní výsledky a diskuse
- Detekční limity ve směru 2,3×106 až 3,0×107 atomů/cm2 (pod 1 pg/mL) pro 30 prvků
- Obnova 95 až 100 % pro většinu prvků, u Pt 86 % a Cu 81 % vzhledem k vysoké afinitě k povrchu
- Automatizace minimalizuje ruční zásahy, riziko kontaminace a zkracuje čas analýzy
Přínosy a praktické využití metody
Automatizovaný systém umožňuje nepřetržitou kontrolu waflí 24/7 s přesnými výsledky v přímé vazbě na výrobní řídicí systém fab. Vysoká robustnost plazmy a efektivní odstraňování spektrálních interferencí zabezpečují spolehlivou detekci ultrastopových kovů při vysokém průtoku vzorků.
Budoucí trendy a možnosti využití
Očekává se širší integrace VPD-ICP-MS/MS do systémů průmyslu 4.0 pro on-line monitoring a automatické vyhodnocování. Další rozvoj může zahrnovat rozšíření na nové materiály a tenčí vrstvy, implementaci umělé inteligence pro prediktivní analýzu a zrychlení odezvy na odchylky v kontaminaci.
Závěr
Plně automatizovaný VPD-ICP-MS/MS systém IAS Expert PS s Agilent 8900 ICP-QQQ prokázal nízké detekční limity, vysokou přesnost a spolehlivost pro měření kovových kontaminantů na křemíkových waflích. Díky kompatibilitě s výrobním CIM-systémem je metoda vhodná pro nejmodernější polovodičové provozy.
Reference
- Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing, Agilent 5991-9495EN
- Bohling C et al Self-Limitation of Native Oxides Explained, Silicon 2016, 8:339–343
- Expert Auto Scanning System Fully Automated VPD-ICP-MS, IAS Inc.
- Auto Scanning System Fully Automated VPD-ICP-MS, IAS Inc.
- Automated Standard Addition System ASAS II, IAS Inc.
- Sakai K et al Automated Analysis of Ultratrace Elemental Impurities in Isopropyl Alcohol, Agilent 5994-0273EN
Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.
Podobná PDF
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing
2022|Agilent Technologies|Příručky
Applications of ICP-MS Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing Application Compendium > Return to table of contents > Search entire document Table of contents ICP-MS and ICP-QQQ in the Semiconductor Industry 4 Agilent Has Three Decades of ICP-MS Experience Driving…
Klíčová slova
return, returncontents, contentsicp, icptable, tablecps, cpsppt, pptgas, gassemiconductor, semiconductorconc, concqqq, qqqbec, becdocument, documententire, entiresearch, searchmode
Direct Analysis of Metallic Impurities in SiC and GaN Wafers by LA-GED-MSAG-ICP-MS/MS
2023|Agilent Technologies|Aplikace
Application Note Semiconductor Direct Analysis of Metallic Impurities in SiC and GaN Wafers by LA-GED-MSAG-ICP-MS/MS Automated analysis using Agilent 8900 ICP-QQQ with Laser Ablation, Gas Exchange Device, and Metal Standard Aerosol Generation Authors Koshi Suzuki, Tatsu Ichinose, and Katsu Kawabata…
Klíčová slova
msag, msagsic, sicged, gedwafer, wafergan, ganablation, ablationwafers, wafersgalvo, galvogas, gasicp, icpvpd, vpdmirror, mirroramount, amounttrxrf, trxrfelement
Agilent Atomic Spectroscopy Solutions for the Semiconductor Industry
2020|Agilent Technologies|Příručky
Agilent Atomic Spectroscopy Solutions for the Semiconductor Industry > Search entire document Contents 2 Trace Elements in the Semiconductor Industry 3 Three Decades of ICP-MS Experience Drives Continuous Innovation 6 Agilent ICP-MS Solutions for the Semiconductor Industry 7 Setups for…
Klíčová slova
semiconductor, semiconductoricp, icpreturn, returndocument, documententire, entiresearch, searchcontents, contentstable, tablecontamination, contaminationwafer, waferlabware, labwareagilent, agilentupw, upwcleaning, cleaningchemicals
Automated Analysis of Ultratrace Elemental Impurities in Isopropyl Alcohol
2022|Agilent Technologies|Aplikace
Application Note Semiconductor Automated Analysis of Ultratrace Elemental Impurities in Isopropyl Alcohol Online calibration using the IAS Automated Standard Addition System (ASAS) Authors Kazuhiro Sakai and Katsuo Mizobuchi Agilent Technologies, Japan Riro Kobayashi IAS Inc, Japan Introduction Contamination control is…
Klíčová slova
asas, asasspike, spikemsa, msasemiconductor, semiconductorultratrace, ultratraceplasma, plasmastandard, standardcell, cellautomated, automatedias, iasonline, onlinegas, gasflow, flowsample, samplerate