Direct Analysis of Trace Metallic Impurities in High Purity Hydrochloric Acid by 7700s/7900 ICP-MS
Aplikace | 2017 | Agilent TechnologiesInstrumentace
Hydrochloridova kyselina vysoké cistoty je klicova v ocistnych postupech semiconductoroveho prumyslu zejmena pri odstraňovani kovovych znečisteni povrchu kremikovych desek
Presne stanovení stopovych kovu v agresivnim matrixu HCl je zásadní pro udržení kvality vyrobnich kroku a minimalizaci kontaminace dalseho procesu
Eliminace diluce vzorku přinasi vyssi integritu dat a snizuje riziko kontaminace
Cilem studie je demonstrovat vykon a robustnost ICP MS Agilent 7700s 7900 s Octopole Reaction System pro priame stanovení stopovych kovu v 20 procentni HCl
Studie se zameruje na odstranění polyatomovych interferenci a dosazeni nejnizsich detekcnich limitu bez diluce vzorku
Detekcni limity se pohybují v rozsahu od 0.01 do nekolika ppt s velmi nizkymi BEC
Odstraneni interferenci bylo overeno u klicech prvku
Metoda redukuje pripravne kroky a minimalizuje kontaminaci vzorku
Flexibilní prace s vice plyny umoznuje spolehlive monitorovani stopovych kovu v semiconductorove vyrobe a jiných agresivnich matrixich
Ocekavany vyvoj specializovanych cell plynů pro dalsi matice optimalizace parametru ORS dalši automatizace a integrace s laboratorními informacnimi systemy pro vyssi efektivitu a sledovatelnost dat
Agilent 7700s 7900 ICP MS s Octopole Reaction System ukazal vynikajici schopnost odstraneni polyatomovych interferenci pri priame analyze koncentrovane HCl
Dosazene nizke detekcni limity a zjednoduseny postup pripravy podtrhuji vhodnost metody pro prumyslovou kontrolu kvality
ICP/MS
ZaměřeníPrůmysl a chemie
VýrobceAgilent Technologies
Souhrn
Význam tématu
Hydrochloridova kyselina vysoké cistoty je klicova v ocistnych postupech semiconductoroveho prumyslu zejmena pri odstraňovani kovovych znečisteni povrchu kremikovych desek
Presne stanovení stopovych kovu v agresivnim matrixu HCl je zásadní pro udržení kvality vyrobnich kroku a minimalizaci kontaminace dalseho procesu
Eliminace diluce vzorku přinasi vyssi integritu dat a snizuje riziko kontaminace
Cíle a přehled studie
Cilem studie je demonstrovat vykon a robustnost ICP MS Agilent 7700s 7900 s Octopole Reaction System pro priame stanovení stopovych kovu v 20 procentni HCl
Studie se zameruje na odstranění polyatomovych interferenci a dosazeni nejnizsich detekcnich limitu bez diluce vzorku
Použitá metodika a instrumentace
- Priamy vdech nedilutovane HCl do ICP MS bez pouziti pripravných kroků
- Kalibrace standardy 10 20 50 a 100 ppt ve kyselinovem blanku
- Agilent 7700s ICP MS s Octopole Reaction System vybavenym koliznimi a reakcnimi plyny helium vodik a volitelny amoniak
- Vzorkovaci system s platinovymi trykama PFA nebulizator a kremenna hořakova sestava
- Mereni 42 prvku s kombinaci rezimu cool plasma no gas helium a amoniak pro kinetickou diskriminaci a CID
Hlavní výsledky a diskuse
Detekcni limity se pohybují v rozsahu od 0.01 do nekolika ppt s velmi nizkymi BEC
Odstraneni interferenci bylo overeno u klicech prvku
- Chrom stanoveny v rezimu cool plasma a helium pro eliminaci ClOH
- Pota sium odstraneni HCl interference amoniakem v cool plasma
- Germanium a arsen degradace polyatomovych druhu vysokou energií helium v ORS
- Vanad s amoniakem ve standardnim plasma rezimu pro zvyseni reakcnı cinnosti
Přínosy a praktické využití metody
Metoda redukuje pripravne kroky a minimalizuje kontaminaci vzorku
Flexibilní prace s vice plyny umoznuje spolehlive monitorovani stopovych kovu v semiconductorove vyrobe a jiných agresivnich matrixich
Budoucí trendy a možnosti využití
Ocekavany vyvoj specializovanych cell plynů pro dalsi matice optimalizace parametru ORS dalši automatizace a integrace s laboratorními informacnimi systemy pro vyssi efektivitu a sledovatelnost dat
Závěr
Agilent 7700s 7900 ICP MS s Octopole Reaction System ukazal vynikajici schopnost odstraneni polyatomovych interferenci pri priame analyze koncentrovane HCl
Dosazene nizke detekcni limity a zjednoduseny postup pripravy podtrhuji vhodnost metody pro prumyslovou kontrolu kvality
Reference
- Takahashi J Mizobuchi K Use of Collision Reaction Cell under Cool Plasma Conditions in ICP MS Asia Pacific Winter Conference on Plasma Spectroscopy 2008
- Colbourne D Frost DC McDowell CA Westwood NPC Journal of Chemical Physics 1978 68 3574
- Huber KP Herzberg G Constants of Diatomic Molecules Van Nostrand Reinhold Co 1979
Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.
Podobná PDF
Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ
2017|Agilent Technologies|Aplikace
Application Note Semiconductor Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ Authors Kazuo Yamanaka and Kazuhiro Sakai Agilent Technologies, Japan Introduction Hydrochloric acid (HCl) is a component of the standard RCA cleaning process used to remove…
Klíčová slova
icp, icpgas, gashcl, hclqqq, qqqqms, qmscrc, crchydrochloric, hydrochloricions, ionsbecs, becspurity, puritycool, coolimpurities, impuritiesmode, modeomega, omegadetermination
Basic Performance of the Agilent 7700s ICP-MS for the Analysis of Semiconductor Samples
2010|Agilent Technologies|Technické články
Basic Performance of the Agilent 7700s ICP-MS for the Analysis of Semiconductor Samples Application Note Semiconductor Authors Abstract Junichi Takahashi Agilent ICP-MS systems have become the benchmark for accurate low-level analysis Agilent Technologies of trace contaminants across a wide range…
Klíčová slova
semiconductor, semiconductorppt, pptcool, coolplasma, plasmabec, becagilent, agilentimproved, improvedgas, gasicp, icppolyatomic, polyatomicweaklybound, weaklybounddissociation, dissociationcount, countnormalized, normalizedjunichi
Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications
2020|Agilent Technologies|Technické články
White Paper Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications Introduction Agilent ICP-MS systems are widely used for accurate low-level analysis of trace contaminants across a wide range of high-purity chemicals used in the semiconductor…
Klíčová slova
plasma, plasmaicp, icpcool, coolhot, hotbec, beccou, couagilent, agilentsemiconductor, semiconductoripa, ipapolyatomic, polyatomictive, tiveelements, elementsintelliquant, intelliquantimproved, improvedundiluted
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing
2022|Agilent Technologies|Příručky
Applications of ICP-MS Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing Application Compendium > Return to table of contents > Search entire document Table of contents ICP-MS and ICP-QQQ in the Semiconductor Industry 4 Agilent Has Three Decades of ICP-MS Experience Driving…
Klíčová slova
return, returncontents, contentsicp, icptable, tablecps, cpsppt, pptgas, gassemiconductor, semiconductorconc, concqqq, qqqbec, becdocument, documententire, entiresearch, searchmode