ICPMS
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.

Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ

Aplikace | 2017 | Agilent TechnologiesInstrumentace
ICP/MS, ICP/MS/MS
Zaměření
Polovodiče
Výrobce
Agilent Technologies

Souhrn

Význam tématu


Hydrochloridová kyselina je klíčovým reagentem pro čistění křemíkových waferů v polovodičové výrobě, přičemž její čistota přímo ovlivňuje kvalitu procesů jako oxidace nebo CVD. S ohledem na limit 100 ppt kovových nečistot (SEMI C27-0708) je nutné vyvinout analytické metody schopné spolehlivé detekce stopových kovů v korozivním matrice HCl.

Cíle a přehled studie / článku


Cílem bylo demonstrovat schopnost triplé kvadrupólové ICP-QQQ (Agilent 8900) v režimu MS/MS měřit až 50 kovových prvků přímo v 20–36 % HCl s detekčními limity v řádu jednotek ppt a bez předúpravy vzorku.

Použitá metodika a instrumentace


Pro analýzu byl nasazen Agilent 8900 ICP-QQQ s PFA-100 nebulizérem, chlazenou kvartsovou komorou, Peltierovým chlazením a platinovými kužely. Režim MS/MS s Q1 selekcí zajišťuje řízenou reakci s plyny H2, O2, NH3 a He. Kalibrace probíhala metodou standardních přídavků, převedenou na externí kalibraci pro rychlé rutinní stanovení.

Hlavní výsledky a diskuse


  • Detekční limity (DL) a ekvivalentní koncentrace pozadí (BEC) pro klíčové prvky (Li, K, V, Cr, Ge, As) byly v rozsahu 0,03–1,4 ng/L.
  • Odstranění interferencí matice (např. H2³⁷Cl+ na ³⁹K+, ³⁵Cl¹⁶OH+ na ⁵²Cr+) bylo zajištěno kombinací „cool plasma“ a NH3 v buňce.
  • V režimu on-mass NH3 pro V a mass-shift NH3 pro Ge byly dosaženy BEC 0,19 ppt a 0,77 ppt.
  • Pro As se díky O2 v buňce měřilo AsO+ na m/z 91 bez overlapu se ZrO+, což umožnilo DL 0,73 ppt.
  • Neutral gain scan potvrdil, že vyšší pozadí As v jednom vzorku bylo způsobeno skutečnou kontaminací, nikoli interferencí ArClO+.

Přínosy a praktické využití metody


Metoda umožňuje přímou analýzu koncentrované HCl bez časově náročných předúprav, minimalizuje riziko ztráty analytu i kontaminace a nabízí vysokou propustnost laboratoře při zachování ultranízkých DL pod limity SEMI.

Budoucí trendy a možnosti využití


  • Rozšíření aplikace na další čisté kyseliny a agresivní matrice.
  • Automatizace přípravy a dávkování vzorků pro průmyslové linky.
  • Optimalizace nových reaktivních plynů a režimů pro ještě nižší DL.
  • Implementace inline monitoringu výrobních procesů v reálném čase.

Závěr


Agilent 8900 ICP-QQQ s MS/MS a režimem „cool plasma“ dosahuje spolehlivého stanovení stopových kovů v HCl na úrovni jednotek ppt, překonává tradiční ICP-QMS i požadavky SEMI a významně zjednodušuje analytický workflow.

Reference


  • SEMI C27-0708, Specifications and guidelines for hydrochloric acid (2008)
  • J. Takahashi, K. Mizobuchi, Use of Collision Reaction Cell under Cool Plasma Conditions in ICP-MS, Asia Pacific Winter Conference on Plasma Spectroscopy (2008)
  • J. Takahashi, Direct analysis of trace metallic impurities in high purity hydrochloric acid by Agilent 7700s/7900 ICP-MS, Agilent 5990-7354EN (2017)
  • Handbook of ICP-QQQ Applications using the Agilent 8800 and 8900, Agilent 5991-2802EN (2017)

Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.

PDF verze ke stažení a čtení
 

Podobná PDF

Toggle
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing
Applications of ICP-MS Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing Application Compendium > Return to table of contents > Search entire document Table of contents ICP-MS and ICP-QQQ in the Semiconductor Industry 4 Agilent Has Three Decades of ICP-MS Experience Driving…
Klíčová slova
return, returncontents, contentsicp, icptable, tablecps, cpsppt, pptgas, gassemiconductor, semiconductorconc, concqqq, qqqbec, becdocument, documententire, entiresearch, searchmode
Handbook of ICP-QQQ Applications using the Agilent 8800 and 8900
5th Edition Handbook of ICP-QQQ Applications using the Agilent 8800 and 8900 Primer > Return to table of contents > Search entire document Foreword Agilent Technologies launched its 8800 Triple Quadrupole ICP-MS (ICP-QQQ) at the 2012 Winter Conference on Plasma…
Klíčová slova
return, returncontents, contentstable, tableicp, icpqqq, qqqcps, cpsgas, gasmass, massppt, pptcell, celldocument, documentconc, concentire, entiresearch, searchmode
Determination of ultra trace elements in high purity hydrogen peroxide with Agilent 8900 ICP-QQQ
Determination of ultra trace elements in high purity hydrogen peroxide with Agilent 8900 ICP-QQQ Application note Authors Semiconductor Kazuo Yamanaka Agilent Technologies, Japan Introduction Hydrogen peroxide (H2O2) is one of the most important process chemicals used in semiconductor device manufacturing.…
Klíčová slova
ppt, pptgas, gascool, coolquad, quadsingle, singlesemiconductor, semiconductorqqq, qqqicp, icptune, tuneperoxide, peroxidesemi, semielements, elementspurity, purityomega, omegatrace
Determination of trace elements in ultrapure semiconductor grade sulfuric acid using the Agilent 8900 ICP-QQQ in MS/MS mode
Determination of trace elements in ultrapure semiconductor grade sulfuric acid using the Agilent 8900 ICP-QQQ in MS/MS mode Application note Semiconductor Authors Michiko Yamanaka, Kazuo Yamanaka and Naoki Sugiyama, Agilent Technologies, Japan Introduction In the semiconductor industry, it is extremely…
Klíčová slova
mode, modeicp, icpsulfuric, sulfuriccell, cellsemiconductor, semiconductorpolyatomic, polyatomicelements, elementsions, ionsion, ionshift, shiftanalyte, analytewafer, waferproduct, productavoided, avoidedmass
Další projekty
GCMS
LCMS
Sledujte nás
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.