ICPMS
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.

Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications

Technické články | 2020 | Agilent TechnologiesInstrumentace
ICP/MS
Zaměření
Polovodiče
Výrobce
Agilent Technologies

Souhrn

Význam tématu


Metoda ICP MS poskytuje vysoce citlivou analýzu stopových prvků v chemikáliích pro polovodičový průmysl Přesná detekce na úrovni ng na litr podporuje kvalitu výroby a minimalizuje riziko závad v polovodičových součástkách

Cíle a přehled studie / článku


Článek podává technický přehled a výkonnostní charakteristiku ICP MS přístroje Agilent 7900s Optimalizace pro polovodičové aplikace zahrnuje pokročilé metody potlačení interferencí a zlepšenou stabilitu plazmatu

Použitá metodika a instrumentace


  • Agilent 7900s ICP MS s octopolovou reakcni celou ORS4 pro kinetickou energetickou diskriminaci a reakci s plyny He H₂ NH₃
  • PFA nebulizér Pt interfés a s typem iontoveho objektivu pro zvyseni iontove prenosnosti
  • Frekvenčně laděný RF generator pro stabilni provoz ve vysoce prchavych organických rozpouštědlech
  • Organics torch s výmenníkem pro analyzu IPA a dalsich rozpouštědel
  • Software MassHunter s autokalibraci optimalizovanou pro ultracisté reagencie a modul IntelliQuant pro rychlé hodnoceni celkoveho složení vzorku

Hlavní výsledky a diskuse


V 1 procentu HNO₃ dosahuje většina prvků detekční meze kolem 0 1 ng l (ppt) nebo níže Podmínky cool plasma redukují intenzivni pozadove signaly pro Na K Ca Fe a zlepsuji detekcni mez až 50 násobně Reakce s vodikem H₂ odstraňuje polyatomicke interferénce N₂ pro stanovení Si a dusikove zbytky Pro koncentrace HCl byl efektivně odstraněn ClO přechod při stanovení V pomocí NH₃ buněčného plynu Dlouhodobá stabilita signalu v 9 hodinových testech byla v rozmezí ±5 procent RSD

Přínosy a praktické využití metody


  • Vysoce nízké pozadové koncentrace a detekční meze umožňují rychlé a spolehlivé monitorování procesních chemikálií
  • Univerzální přístup k organickým rozpouštědlům včetně IPA bez ztráty stability plazmatu
  • Jednoduchá rutina údržby a kompaktní konstrukce vhodná do čistých prostor
  • Automaticke ladeni a preset metody zkracují dobu přípravy a minimalizují chyby obsluhy

Budoucí trendy a možnosti využití


Zaměření na další vylepšení selektivních reakcí v buněčných systémech Rozšíření reakční chemie pro cílené potlačení specifických interferencí Využití strojového učení k optimalizaci provozních parametrů a prediktivní údržbě Integrace s online monitorováním procesních toků a miniaturizace pro nasazení v mikroplynulých systémech

Závěr


Agilent 7900s představuje kompaktní robustní řešení pro polovodičový průmysl Vysoká citlivost flexibilita provozu cool plasma a pokročilá buněčná chemie přispívají k spolehlivému stanovení ultrastopových prvků v širokém spektru chemikálií Analytická preciznost podpořená softwarem MassHunter a jednoduchá obsluha zvyšují efektivitu laboratorních procesů

Reference


  • Agilent Technologies Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP MS for Semiconductor Applications White Paper 2020

Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.

PDF verze ke stažení a čtení
 

Podobná PDF

Toggle
Basic Performance of the Agilent 7700s ICP-MS for the Analysis of Semiconductor Samples
Basic Performance of the Agilent 7700s ICP-MS for the Analysis of Semiconductor Samples Application Note Semiconductor Authors Abstract Junichi Takahashi Agilent ICP-MS systems have become the benchmark for accurate low-level analysis Agilent Technologies of trace contaminants across a wide range…
Klíčová slova
semiconductor, semiconductorppt, pptcool, coolplasma, plasmabec, becagilent, agilentimproved, improvedgas, gasicp, icppolyatomic, polyatomicweaklybound, weaklybounddissociation, dissociationcount, countnormalized, normalizedjunichi
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing
Applications of ICP-MS Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing Application Compendium > Return to table of contents > Search entire document Table of contents ICP-MS and ICP-QQQ in the Semiconductor Industry 4 Agilent Has Three Decades of ICP-MS Experience Driving…
Klíčová slova
return, returncontents, contentsicp, icptable, tablecps, cpsppt, pptgas, gassemiconductor, semiconductorconc, concqqq, qqqbec, becdocument, documententire, entiresearch, searchmode
Improvement of ICP-MS detectability of phosphorus and titanium in high purity silicon samples using the Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS
Improvement of ICP-MS detectability of phosphorus and titanium in high purity silicon samples using the Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS Application note Semiconductor Authors Junichi Takahashi Agilent Technologies, Tokyo, Japan Introduction In the past three decades monitoring and controlling metallic…
Klíčová slova
cool, coolgas, gasvpd, vpdbec, bectune, tuneicp, icpsilicon, siliconcell, cellsemiconductor, semiconductorelement, elementargon, argonplasma, plasmaqms, qmsmatrix, matrixwafer
Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ
Application Note Semiconductor Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ Authors Kazuo Yamanaka and Kazuhiro Sakai Agilent Technologies, Japan Introduction Hydrochloric acid (HCl) is a component of the standard RCA cleaning process used to remove…
Klíčová slova
icp, icpgas, gashcl, hclqqq, qqqqms, qmscrc, crchydrochloric, hydrochloricions, ionsbecs, becspurity, puritycool, coolimpurities, impuritiesmode, modeomega, omegadetermination
Další projekty
GCMS
LCMS
Sledujte nás
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.