ICPMS
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.

Improvement of ICP-MS detectability of phosphorus and titanium in high purity silicon samples using the Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS

Aplikace | 2013 | Agilent TechnologiesInstrumentace
ICP/MS, ICP/MS/MS
Zaměření
Polovodiče
Výrobce
Agilent Technologies

Souhrn

Význam tématu


Monitorování stopových kovů v polovodičovém průmyslu je klíčové pro zajištění kvality a výkonu zařízení. Detekce prvků s nízkou atomovou hmotností, zejména fosforu a titanu v matrici silikonu, je náročná kvůli polyatomovým interferencím. Cílem je zlepšit citlivost a spolehlivost analýzy v prostředí vysoké koncentrace silikonu.

Cíle a přehled studie


Studie popisuje použití Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS v režimu MS/MS pro eliminaci rušivých signálů. Hlavním cílem bylo dosáhnout nízkých mezí detekce a pozadí pro fosfor a titan v matricích obsahujících až 2000 ppm silikonu a demonstrovat dlouhodobou stabilitu měření.

Použitá metodika a instrumentace


Pro přípravu vzorků simulačně vzniklé roztoky silikonu připravené rozpouštěním křemíku v prostředí HF a HNO3. Analytická instrumentace:
  • Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS s MS/MS režimem
  • PFA ultranízkoproudá nebulizace (45 µl min−1)
  • PFA spray komora, demontovatelná hořáková sonda
  • Pt vzorkovací a Pt/Ni skimmrovací kuželky
  • Reakční plyny hydrogen a oxygen
  • Předpřipravené standardy pro fosfor a síru

Optimalizované ladicí podmínky pro nízkou a vysokou koncentraci silikonu zahrnovaly nastavení RF výkonu, hloubku vzorku a iontové čočky.

Hlavní výsledky a diskuse


Za MS/MS režimu s hydrogenem pro fosfor (produkt PH4+ m/z 35) a kyslíkem pro titan (produkt TiO+ m/z 64) byly dosaženy meze detekce řádu desítek až stovek ppt a nízké hodnoty Background Equivalent Concentration. Kalibrační závislosti byly lineární až do úrovně ppm a dlouhodobá stabilita signálu přes 3 hodiny ukázala odchylky v intervalu 10–20 procent.

Přínosy a praktické využití metody


MS/MS technologie umožňuje selektivní průchod pouze cílových iontů a potlačení polyatomových pozadí. Výsledkem je spolehlivá analýza stopových fosforu, titanu i dalších kovových nečistot v silne kyselém prostředí. Metodu lze nasadit pro rutinní kontrolu kvality v polovodičových čistírnách.

Budoucí trendy a možnosti využití


  • Rozšíření aplikací na další prvky s obtížnými interferencemi
  • Optimalizace reakčních plynů a režimů pro maximální potlačení pozadí
  • Integrace do plně automatizovaných QC linek v polygonech
  • Vývoj odolnějších konstrukčních částí proti usazování křemíkových oxidů

Závěr


Agilent 8800 Triple Quadrupole ICP-MS v MS/MS režimu nabízí významné zlepšení citlivosti a selektivity pro analýzu fosforu a titanu v křemíkové matrici. Nízké hodnoty BEC a DL a dlouhodobá stabilita potvrzují praktickou využitelnost metody pro polovodičový průmysl.

Reference


Junichi Takahashi Katsuo Mizobuchi Masakazu Yukinari Third Asia-Pacific Winter Conference on Plasma Spectrochemistry 2008 Tsukuba Japan

Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.

PDF verze ke stažení a čtení
 

Podobná PDF

Toggle
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing
Applications of ICP-MS Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing Application Compendium > Return to table of contents > Search entire document Table of contents ICP-MS and ICP-QQQ in the Semiconductor Industry 4 Agilent Has Three Decades of ICP-MS Experience Driving…
Klíčová slova
return, returncontents, contentsicp, icptable, tablecps, cpsppt, pptgas, gassemiconductor, semiconductorconc, concqqq, qqqbec, becdocument, documententire, entiresearch, searchmode
Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications
White Paper Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications Introduction Agilent ICP-MS systems are widely used for accurate low-level analysis of trace contaminants across a wide range of high-purity chemicals used in the semiconductor…
Klíčová slova
plasma, plasmaicp, icpcool, coolhot, hotbec, beccou, couagilent, agilentsemiconductor, semiconductoripa, ipapolyatomic, polyatomictive, tiveelements, elementsintelliquant, intelliquantimproved, improvedundiluted
Automated Surface Analysis of Metal Contaminants in Silicon Wafers by Online VPD-ICP-MS/MS
Application Note Semiconductor Automated Surface Analysis of Metal Contaminants in Silicon Wafers by Online VPD-ICP-MS/MS Agilent 8900 ICP-QQQ integrated with IAS Expert PS VPD provides the sensitivity and robustness required for 24/7 contamination control of wafers Authors Introduction Tatsu Ichinose…
Klíčová slova
vpd, vpdwafer, wafericp, icpfabs, fabsasas, asassurface, surfacescan, scansemiconductor, semiconductorsystem, systemintegrated, integratedautomated, automateddroplet, dropletexpert, expertelements, elementsfab
Analysis of Ultratrace Impurities in High Silicon Matrix Samples by ICP-QQQ
Application Note Semiconductor Analysis of Ultratrace Impurities in High Silicon Matrix Samples by ICP-QQQ Determination of 38 elements in high matrix samples using an Agilent 8900 ICP-QQQ with optional m-lens Authors Introduction Yu Ying Agilent Technologies (China) Co., Ltd. Rapid…
Klíčová slova
semiconductor, semiconductorbecs, becsmatrix, matrixicp, icpelements, elementsgas, gasplasma, plasmabec, beceies, eiessilicon, siliconbackground, backgroundlens, lensomega, omegatrace, tracedeposition
Další projekty
GCMS
LCMS
Sledujte nás
Další informace
WebinářeO násKontaktujte násPodmínky užití
LabRulez s.r.o. Všechna práva vyhrazena. Obsah dostupný pod licencí CC BY-SA 4.0 Uveďte původ-Zachovejte licenci.